申请号/专利号： 200780000966

　　本发明提供一种半导体陶瓷，施主元素相对于Ｔｉ元素１００摩尔，在０．８～２．０摩尔的范围中固溶在晶粒中，受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在晶粒中，受主元素以相对于Ｔｉ元素１００摩尔，在０．３～１．０摩尔的范围中存在于晶界中，晶粒的平均粒径为１．０μｍ以下。使用该半导体陶瓷，取得层叠型半导体陶瓷电容器。这时，在进行还原煅烧的一次煅烧处理中，把冷却开始时的氧分压设定为煅烧过程的氧分压的１．０×１０↑［４］倍以上，进行冷却处理。据此，实现即使晶粒的平均粒径微粒化到１．０μｍ以下，也具有５０００以上的表观相对介电常数εｒ↓［ＡＰＰ］和１０以上的比电阻ｌｏｇρ（ρ：Ω·ｃｍ）的ＳｒＴｉＯ↓［３］类晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用它的层叠型半导体陶瓷电容器、它们的制造方法。

申请日： 2007年05月28日

公开日： 2009年01月14日

授权公告日： 

申请人/专利权人： 株式会社村田制作所

申请人地址： 日本京都府

发明设计人： 川本光俊

专利代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司

代理人： 李香兰

专利类型： 发明专利

分类号： C04B35/47;H01G4/12