埋入式陶瓷远红外辐射元件 埋入式陶瓷远红外辐射元件,系采用具有高辐射率的釉层,热震性能良好的陶瓷作为基体, 高质量的镍铬合金丝一次烧结而成。 产品主要技术参数和性能 1、基体抗折强度为440Kg/cm2; 2、常温下元件电阻为1012欧母0cm; 3、化学稳定性好,耐腐蚀性强;(抗氧化使用效果较好); 4、使用中非辐射面热损失小; 5、基体加热至800℃置入冷水反复数十次不开裂; 6、辐射元件通电加热至额定功率,断电浸入冷水四十次无损坏; 7、辐射元件最大辐射率大于0.9; 8、节能效果明显,比碳化硅元件可提高10-25%; 9、使用寿命较之碳化元件延长数倍以上; |